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天然砂精選:優(yōu)選高純度石英砂(如安徽天柱山 4N 級砂,SiO?≥99.9%),剔除長石、云母等雜質礦物。
物理選礦:通過磁選(去除 Fe、Ti 等磁性雜質)、浮選(分離長石)和水洗(去除泥沙)提升純度。
化學提純:酸浸工藝(HCl/HF 混合酸)去除金屬氧化物,使雜質含量<10ppm,滿足半導體級需求。
通過四氯化硅(SiCl?)氣相水解生成高純 SiO?粉末,純度可達 99.999%,用于光纖預制棒等精密領域。
設備:電阻爐或電弧爐,溫度控制在 1700-2000℃。
流程:
石英砂投入坩堝,通電熔融成液態(tài);
通過拉管、吹制或壓制模具,成型為管、棒、板等形狀;
退火處理:緩慢降溫至室溫(耗時數(shù)十小時),消除內應力,避免開裂。
特點:
適合大規(guī)模生產普通石英玻璃(如加熱管、實驗室器皿);
成本較低,但氣泡、雜質控制難度高,純度通常為 99.6-99.9%。
設備:氫氧焰熔爐,以 H?+O?燃燒提供高溫(>2000℃)。
石英砂顆粒通過料斗下落,經氫氧焰熔融;
熔融液滴在旋轉靶棒上逐層堆積,形成透明玻璃錠;
后續(xù)加工:切割、研磨成光學元件或半導體用管。
熔融過程中雜質揮發(fā)充分,純度可達 99.99% 以上;
適合生產大尺寸光學玻璃(如激光窗口、光譜儀棱鏡)。
原理:利用 SiCl?、SiH?等氣體在高溫下分解,沉積生成高純 SiO?。
分類:
MCVD(Modified Chemical Vapor Deposition): 石英管旋轉加熱,氣體通入后沉積在內壁,形成多層透明玻璃,用于光纖預制棒芯層。
PCVD(Plasma Chemical Vapor Deposition): 微波激發(fā)等離子體,加速氣體反應,沉積效率更高,適合制備低羥基(OH?≤5ppm)石英玻璃。
純度達 99.999% 以上,羥基含量極低,是光通信、極紫外(EUV)光刻設備的核心工藝;
技術門檻高,設備昂貴,全球僅少數(shù)企業(yè)(如日本信越、德國賀利氏)掌握。
研磨拋光:用金剛石磨料將石英玻璃表面粗糙度降至 Ra≤0.1μm,用于光學透鏡、比色皿;
鍍膜:鍍增透膜(如 MgF?)提升紫外 / 紅外透光率,或鍍反射膜用于激光腔體。
激光切割:用 CO?激光或皮秒激光切割異形件(如螺旋管、毛細管),精度達 ±0.02mm;
擴口與封接:通過火焰熔融實現(xiàn)石英管與金屬部件(如不銹鋼)的真空封接,用于半導體設備。
脫羥處理:高溫(>1100℃)真空退火,使羥基含量從 50ppm 降至 5ppm 以下,適配紅外光學;
強化處理:化學氣相沉積(CVD)在表面形成壓應力層,提升抗沖擊強度 30% 以上。
高端市場依賴進口:半導體用氣相沉積石英管、EUV 光學元件等仍依賴進口,國內企業(yè)正突破氫氧焰氣煉、等離子體沉積等關鍵技術。
綠色生產:開發(fā)電熔法余熱回收技術,降低能耗(每噸石英玻璃耗電約 3000kWh);探索無酸提純工藝,減少廢水排放。
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